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等離子去膠機影響處理效果的四大因素

更新時間:2023-02-26      瀏覽次數:670
  等離子去膠機具有體積小,性能優良、用途多、工藝速率高、均勻性及重復性好、價格低、使用方便等特點。是各電子器件企業及科研單位、大專院校的機型。適合于微電子制作工藝中光刻膠的去膠工藝,同時有RIE刻蝕功能,可以刻蝕Si、SiO2、SiN。已出口國外。
  
  等離子去膠機主要性能:
  
  1.開放式設計,可快速加載和卸載晶圓。
  
  2.基片放置在石英上,以避免濺射/再沉積電極材料
  
  3.通過頂部電極上的“蓮蓬頭”進氣口將氣體注入工藝室
  
  4.電感耦合等離子體(ICP)和電極的獨立射頻發生器提供對離子能量和離子密度的獨立控制
  
  5.高電導泵浦端口提供高的氣體吞吐量,以最快的腐蝕速率
  
  6.使用等離子體源,生成單原子反應種。氧是最常見的反應物質。
  
  影響等離子去膠機處理效果的四大因素:
  
  1.頻率的調整:頻率越高,氧越易電離構成等離子體。頻率太高,以致電子振幅比其平均自由程還短,則電子與氣體分子磕碰概率反而減少,使電離率降低。
  
  2.功率的調整:關于必定量的氣體,功率大,等離子體中的的活性粒子密度也大,去膠速度也快;但當功率增大到必定值,反響所能耗費的活性離子到達飽滿,功率再大,去膠速度則無顯著添加。由于功率大,基片溫度高,所以應根據技術需求調理功率。
  
  3.真空度的調整:恰當的真空度,可使電子運動的平均自由程變大,因而從電場取得的能量就大,有利電離。別的當氧氣流量必守時,真空度越高,則氧的相對份額就大,發生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高,活性粒子濃度反而會減小。
  
  4.氧氣流量的調整:氧氣流量大,活性粒子密度大,去膠速率加速;但流量太大,則離子的復合概率增大,電子運動的平均自由程縮短,電離強度反而降低。若反響室壓力不變,流量增大,則被抽出的氣體量也添加,其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加,因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。
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