反應離子刻蝕

NRE-4000（M）反應離子刻蝕概述：

NRE-4000是一款獨立式RIE系統，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持大到12”的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10^-6 Torr 或更小的極限真空。該系統系統可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500V.這對于各向異性的刻蝕至關重要。

該系統是基于PC控制的全自動系統.系統真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示,流量及功率則以數字形式實時顯示.系統提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級,以及維護人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動執行程序模式(操作模式)運行系統。基于全自動的控制，該系統具有高度的可重復性。

NRE-4000（M）反應離子刻蝕產品特點：

• 鋁質腔體或不銹鋼腔體
• 不銹鋼立柜
• 能夠刻蝕硅的化合物(~400Å /min)以及金屬
• 典型的硅刻蝕速率，400 Å/min
• 高達12”的陽極氧化鋁RF樣品臺
• 水冷及加熱的RF樣品臺
• 大自偏壓
• 淋浴頭氣流分布
• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內可以達到10-6Torr級別
• 渦輪分子泵
• 至多支持8個MFC
• 無繞曲氣體管路
• 自動下游壓力控制
• 雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）
• 終點監測
• 氣動升降頂蓋
• 手動上下載片
• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
• 菜單驅動，4級密碼訪問保護
• *的安全聯鎖
• 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺，用于深硅刻蝕

NRE-4000（M） Features：

• Aluminum or Stainless Steel Chamber
• Stainless Steel Cabinet
• Capable of etching Si compounds (~400 Å /min)and metals
• Typical Si etch rate, 400 Å/min
• Up to 12“ Anodized RF Platen
• Water Cooled and Heated RF Platen
• Large Self Bias
• Shower Head gas distribution
• Approximay 10^-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10^-7 Torr base pressure
• Turbomolecular Pump
• Up to eight MFCs
• No flexing of gas lines
• Down Stream Pressure Control
• Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）
• End Point Detection
• Pneumatically Lifted Top
• Manual loading/unloading
• PC Controlled with LabVIEW
• Recipe Driven, Password Protected
• Fully Safety Interlocked 
• Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch